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摘要:
根据碳化硅肖特基二极管半导体物理结构,在测量碳化硅二极管特性参数的基础上研究其静、动态性能及计算机仿真模型.针对其低的通态电阻、反向阳断电压高、高频率、存储电荷少的特点,在适合其应用的太阳能最大功率跟踪电路以及作为IGBT器件的续流二极管电路上研究了其反向恢复特性及对电路效率的提高.实验结果验证了模型的准确性与应用的优越性.
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文献信息
篇名 碳化硅肖特基二极管仿真模型及其在自动化装置中的应用
来源期刊 制造业自动化 学科 工学
关键词 碳化硅 肖特基二极管 仿真模型 效率
年,卷(期) 2011,(12) 所属期刊栏目 设计与应用
研究方向 页码范围 123-125
页数 分类号 TN323
字数 1955字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-0134.2011.6(下).39
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郝夏斐 12 48 4.0 6.0
2 潘三博 12 71 4.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
碳化硅
肖特基二极管
仿真模型
效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
制造业自动化
月刊
1009-0134
11-4389/TP
大16开
北京德胜门外教场口1号
2-324
1979
chi
出版文献量(篇)
12053
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12
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