肖特基二极管在HTRB试验中的电损伤分析

• 作者: 张运坤 来启发 陆定红
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 HTRB 失效分析
• 年，卷（期）: 2018,（z1）
• 所属期刊栏目: 中科芯检测事业部第二届检测技术研讨会论文精选
• 页码范围: 50-52,63
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 1056字
• 语种: 中文

摘要

对肖特基二极管的设计原理、制造工艺、在高温反偏试验(HTRB,high temperature reverse bias)中形成热点从而导致损坏的机理进行分析,找出肖特基二极管进行HTRB试验时容易出现失效的原因.对肖特基二极管的HTRB试验有重要的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	来启发		4	2	1.0	1.0
2	陆定红		5	0	0.0	0.0
3	张运坤		2	0	0.0	0.0