用于高冲击检测硅基三轴集成压阻式MEMS加速度芯片的建模与仿真

• 作者: 刘勐 张威 郝一龙
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压阻式加速度计 有限元软件 硅 惯性力 惠斯登电桥
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 11-19
• 分类号: TP212
• 字数: 4552字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2012.01.003

摘要

主要讨论硅基单芯片集成的三轴压阻式MEMS加速度计芯片的建模与仿真.通过有限元软件ANSYS建立的结构模型可以较好的理解和分析所要设计的加速度芯片在承受任意不同轴向加速度所产生惯性力时的静态表现.利用有限元软件ANSYS我们详细分析了各个悬臂梁在承受不同轴向惯性力时的应力变化,确定出敏感电阻的位置.通过LS-DYNA软件对所设计的加速度计芯片进行了不同方向撞击刚性墙时的器件受分析,分析结果表明所设计的结构在理论上是可行的.