作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
介绍一款1.2 V0.1 GHz~18GHz超带宽级联型低噪声放大器.该LNA采用反馈网络来简化超宽带匹配并且不导致振荡.引入反相器结构作为第二级从而实现噪声消除.同时采用了感性尖峰技术来拓展带宽,所采用电感占用较小面积.带内噪声指数小于4 dB,输入输出反射系数均优于-10 dB.最大,最小正向增益分别为15.34 dB,14.54 dB,带内平稳增益得以实现.9GHz得到的ⅡP3和1dB增益压缩点分别为-4 dBm及-24 dbm.总功耗为30 mW.
推荐文章
2.9GHz 0.35μm CMOS低噪声放大器
CMOS工艺
低噪声放大器
螺旋电感
用于S波段的高线性低噪声放大器
低噪声放大器
高线性
低噪声
GaAs pHEMT
S波段
具有平坦增益的3.1~10.6GHz UWB CMOS低噪声放大器设计
低噪声放大器(LNA)
超宽带
平坦度
电流复用技术
采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT低噪声放大器设计
低噪声放大器
阻抗匹配
噪声匹配
噪声抵消技术
SiGe工艺
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 一款基于0.13μm CMOS工艺,0.1 GHz~18 GHz采用双反馈和噪声消除技术的低噪声放大器设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 固态器件及电路 计算机辅助设计 超带宽低噪声放大器 级联结构 双反馈结构 噪声消除技术
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 电子电路设计分析及应用
研究方向 页码范围 399-405
页数 分类号 TN722.3|TN432
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.04.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张弘 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 8 39 3.0 6.0
2 梁元 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 3 5 2.0 2.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (3)
节点文献
引证文献  (2)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (2)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2007(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2008(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2012(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2014(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2016(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
固态器件及电路
计算机辅助设计
超带宽低噪声放大器
级联结构
双反馈结构
噪声消除技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导