基于聚噻吩/聚己内酯共混物的有机薄膜晶体管

• 作者: 王晓鸿 邱龙臻
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜晶体管 半导体/绝缘聚合物 相分离 电性能
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 857-862
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123308.0857

摘要

选择聚3-己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体管.电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低.当P3HT质量分数为40％时,共混物薄膜仍具有较好的场效应性能,迁移率为0.008 cm2·V-1·s-1,开关电流比为5×103,阈值电压为45.5 V.原子力显微镜测试结果表明:共混物成膜时发生明显的垂直相分离,在界面处形成连续的半导体层,有利于载流子传输.