H2/(Ar+H2)流量比对AZO薄膜结构及光电性能的影响

• 作者: 吴隽 朱胜君 李念 李涛涛 王俊 祝柏林
• 来源期刊: 武汉科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: H2/(Ar+H2)流量比 AZO薄膜 射频磁控溅射法 结晶质量 电阻率 透光率
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 56-60
• 分类号: O484.4
• 字数: 2731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-3644.2012.01.014

摘要

在Ar+ H2气氛下,用RF磁控溅射法在室温下制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,研究H2/(Ar+H2)流量比对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,在沉积气氛中引入H2可以提高AZO薄膜的结晶质量,降低AZO薄膜的电阻率,提高其霍尔迁移率和载流子浓度；H2/(Ar+ H2)流量比为5％时,AZO薄膜的最小电阻率为1.58×10-3 Ω·cm,最大霍尔迁移率和载流子浓度分别为13.17 cm2·(V· s)-1和3.01×1020 cm-3；AZO薄膜在可见光范围内平均透光率大于85.7％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴隽	武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室	18	27	3.0	4.0
2	王俊	武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室	13	129	4.0	11.0
3	李念	武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室	4	10	2.0	3.0
4	朱胜君	武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	李涛涛	武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0