75GHz13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器

• 作者: 刘新宇 吴旦昱 曹玉雄 王显泰 苏永波 金智
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP双异质结双极晶体管(DHBT) 微波单片集成 毫米波 功放
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 294-297,301
• 分类号: TN385|TN952|TN431.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2012.00294

摘要

报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15 μm ×4 μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率为13.92 dBm.放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm.整个芯片传输连接采用共面波导结构,芯片面积为1.06 mm ×0.75 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0
3	王显泰	中国科学院微电子研究所	13	77	5.0	8.0
4	苏永波	中国科学院微电子研究所	10	21	4.0	4.0
5	曹玉雄	中国科学院微电子研究所	2	10	2.0	2.0
6	吴旦昱	中国科学院微电子研究所	11	18	3.0	3.0