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摘要:
针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异常翻转的机制,针对这种机制提出了2种解决方法,并给出了2种解决方法的适用范围.重离子试验结果表明,采用新方法实现的时序逻辑具备更高的翻转阈值和更低的翻转截面,基于新方法研制的ASIC产品的抗单粒子翻转能力得到显著提高.
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文献信息
篇名 一种单粒子翻转机制及其解决方法
来源期刊 信息与电子工程 学科 工学
关键词 单粒子翻转 单粒子瞬态 时序单元电路 抗辐射加固 超深亚微米集成电路
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 微光机电与物理电子技术
研究方向 页码范围 355-358
页数 分类号 TN305.94
字数 2747字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-2892.2012.03.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 岳素格 北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心 28 96 5.0 8.0
2 王亮 北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心 9 31 3.0 5.0
3 孙永姝 北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心 4 13 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子翻转
单粒子瞬态
时序单元电路
抗辐射加固
超深亚微米集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
出版文献量(篇)
3051
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7
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11167
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