封装腔体内氢气含量控制

• 作者: 丁荣峥 明雪飞 李秀林 王洋 郭伟
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 气密封装 内部气氛 氢气含量
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 电子元器件与可靠性
• 页码范围: 1-5
• 分类号: TN305.94
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2012.02.001

摘要

目前,对密封腔体内的水汽、二氧化碳、氧气含量的研究比较多,内部水汽含量控制在≤5000 ppm、氧气控制在≤2000 ppm、二氧化碳控制在≤4 000 ppm、氦气控制在≤1 000 ppm的密封工艺技术已解决[9],氢气含量控制的研究则未见报道.对于一些气密性要求高的封装应用领域,还需要控制氢气含量,如MEMS、GaAs电路等.分析了平行缝焊、Au80Sn20合金封帽的导电胶、合金烧结的器件的内部氢气含量,并分析了125℃168 h和125℃1000h贮存前后氢气含量的变化情况;在试验的基础上,提出了氢气的主要来源和针对性的工艺措施,并取得了期望的结果:密封器件经过125℃、1000h贮存后的氢气含量也能控制在≤4000 ppm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	12	41	4.0	6.0
2	丁荣峥	中国电子科技集团公司第五十八研究所	19	65	4.0	7.0
3	明雪飞		3	15	3.0	3.0
4	李秀林		3	17	3.0	3.0
5	王洋	中国电子科技集团公司第五十八研究所	6	14	2.0	3.0