标准CMOS工艺载流子注入型三端SiLED的设计与研制

• 作者: 张世林 张兴杰 毛陆虹 谢生 谷晓 郭维廉 韩磊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基 LED 标准 CMOS 发光器件 正向注入发光 光电集成
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 444-448
• 分类号: TN383
• 字数: 2421字
• 语种: 中文

摘要

采用无锡华润上华(CSMC)0.5μm标准CMOS工艺,设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端SiLED器件.该器件在p型衬底上进行n+掺杂,与p衬底形成两个相对的n+p结,其中一个结正向偏置,发出峰值波长在1100nm附近的红外光;另一个结同样正偏,作为注入结对发光进行调制.测试结果显示:第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率,在10mA偏置电流、3V调制电压下,可获得1nW的光功率,与单结相比提高了两个数量级.由于工作电压低,该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成,在光电集成领域具有一定的应用前景

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	张世林	天津大学电子信息工程学院	109	334	8.0	11.0
3	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
4	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0
5	韩磊	天津大学电子信息工程学院	10	97	6.0	9.0
6	谷晓	天津工业大学信息与通信工程学院	3	9	2.0	3.0
7	张兴杰	天津大学电子信息工程学院	2	6	1.0	2.0