大电容负载下的高速、低功耗动态摆率增强电路研究

• 作者: 刘飞 叶珍华 尹韬 李凡阳 杨海钢 程小燕
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 高速 低功耗 动态摆率增强电路
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 页码范围: 75-79
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

本文提出了一种针对大负载电容的高速、低功耗动态摆率增强电路设计方法．电路通过直接监测主运算放大器输入端的差分电平变化，实现对主放大器的动态电流补偿，较大幅度地提高了摆率增强效果．通过改变核心MOS管尺寸，可以实现对摆率增强电路开启阈值的调节．通过引入开关控制，可以实现对摆率增强电路的及时“休眠”，提高电路的能效．动态摆率增强电路与主运算放大器为并行关系，因此适用于所有结构的运算放大器，通用性强．电路采用0．35μm商业CMOS工艺实现，有效芯片面积0．15×0．15mm2．采用5V单电源供电，测试结果表明，本电路针对400pF大负载电容，可以实现7V／μs的正向摆率及10V／μs的负向摆率，功率消耗6．25μw．该方法与传统的电路结构相比，工作效率显著提高．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘飞	中国科学院电子学研究所	71	509	12.0	19.0
2	杨海钢	中国科学院电子学研究所	134	485	10.0	15.0
3	尹韬	中国科学院电子学研究所	28	136	6.0	11.0