外电场对直接带隙Ge量子阱中的光学性质的影响

• 作者: 段坤杰 衡丽君
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱 吸收系数 阈值能量
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 量子光学与激光物理
• 页码范围: 96-100
• 分类号: O56
• 字数: 2767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2012.01.017

摘要

在有效质量近似下,考虑到外电场的影响,详细研究了直接带隙Ge/GeSi量子阱中带间光跃迁吸收系数和阈值能量随量子阱阱宽,外电场强度的变化情况.结果表明:随着外电场的增强,带间光跃迁吸收强度会逐渐减弱,阈值能量减小,吸收曲线向低能方向移动,出现了红移现象.此外,当量子阱比较大时,外电场对量子阱中带间光跃迁阈值能量的影响更加明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	衡丽君		12	29	4.0	5.0
2	段坤杰		15	25	3.0	4.0