首次成功在硅上集成50微米厚锗

• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 工学
• 关键词: 微米 集成 半导体结构 硅 锗 X射线技术 物理学家 《科学》
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 9-9
• 页数: 1页
• 分类号: TQ174.758

摘要

据物理学家组织网报道，瑞士和意大利科学家在《科学》杂志上指出，他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破，成功在硅上集成了50微米厚锗，新结构几乎完美无缺，最新研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。