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摘要:
提出了一种用常规硅工艺实现的片上集成电感的螺线型新结构.制造工艺使用标准双层金属布线的常规硅工艺.测量了螺线型集成电感的S参数,从测量数据计算了集成电感的参量.实验的侧向螺线型片上集成电感的Q值峰值为1.3,电感量为22nH.对用两层金属层实现的侧向螺线型片上集成电感和单层金属的常规平面螺旋电感的实验结果进行了比较,电感量和Q值与常规平面螺旋电感有可比性.
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文献信息
篇名 新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型片上集成电感
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 集成电感 螺线电感 螺旋电感 品质因素
年,卷(期) 2002,(4) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 352-356
页数 5页 分类号 TN405
字数 1341字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘畅 中国科学院上海冶金研究所微电子学分部 118 1090 17.0 29.0
2 陈学良 中国科学院上海冶金研究所微电子学分部 5 40 3.0 5.0
3 严金龙 中国科学院上海冶金研究所微电子学分部 3 39 3.0 3.0
4 顾伟东 华为公司上海研究所 1 8 1.0 1.0
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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