低电压下CMOS数字电路概率模型研究

• 作者: 唐万荣 唐青 李妍 胡剑浩
• 来源期刊: 信号处理
• 学科: 工学
• 关键词: 低电压 概率器件 概率模型 状态转移法
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 短文与研究通讯
• 页码范围: 145-150
• 分类号: TN79+1
• 字数: 3955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0530.2012.01.022

摘要

为解决数字电路低功耗问题,电路工作电压被不断降低,导致电路逻辑器件呈现概率特性.本文提出了低电压下CMOS数字电路的错误概率模型,并完成硬件电路测试验证.本文首先详述了深亚微米(DSM)量级的门电路及模块在低电压供电条件下导致器件出错的因素,结合概率器件结构模型推导基本逻辑门概率模型,并提出了状态转移法用于完成由门级到模块级的概率分析模型；我们搭建硬件平台对CMOS逻辑芯片进行了低供电压测试,通过分析理论推导结果与实测结果,验证并完善了分析模型.实验结果表明,由状态转移法推导的电路概率模型符合电路实际性能,从而为构建低电压下数字电路概率模型提供了可靠分析模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡剑浩	电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室	84	477	11.0	18.0
2	李妍	电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室	5	3	1.0	1.0
3	唐青	电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室	2	4	1.0	2.0
4	唐万荣	电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室	1	3	1.0	1.0