应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关

• 作者: 吴嘉丽 王超 陈光焱
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 低g值微惯性开关 双埋层SOI 等电位 防粘连 硅衬片
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 1076-1083
• 分类号: TM564|TN305
• 字数: 3729字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20122005.1076

摘要

采用双埋层SOI( Silicon-On- Insulator)材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关.利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁厚度的精度为±0.46 μm.分析了双埋层SO1材料的电学特性,采用等电位技术,实现了双埋层SOI与上下两层硼硅玻璃的阳极键合.采用玻璃无掩模湿法腐蚀技术,在玻璃封盖底部设计制作了大小为200 μm×200μm的防粘连凸台,解决了芯片在清洗干燥过程中的粘连问题.采用ICP刻蚀用硅衬片方法,解决了ICP刻蚀工艺中高温导致的金硅共晶合金问题.实验验证显示,提出的方法效果较好,芯片成品率得到较大提高,为大批量地研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴嘉丽	中国工程物理研究院电子工程研究所	17	110	6.0	10.0
2	王超	中国工程物理研究院电子工程研究所	35	184	7.0	12.0
3	陈光焱	中国工程物理研究院电子工程研究所	23	219	10.0	13.0