多晶硅表面暗纹的形成以及消除技术研究

• 作者: 冯仕猛 单以洪 周玲 徐华天 杨树泉 田嘉彤 雷刚 鞠雪梅
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 绒面技术 陷光效应 反射率 暗纹
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 690-693,714
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

通过改变氢氟酸和硝酸的比列,进行了多晶硅表面腐蚀实验,实验研究发现不同配比酸液能刻蚀形貌不同的陷阱坑,消除深沟槽,但陷阱坑开口大,反射率比较高;在优化氢氟酸和硝酸配比的基础上加入阴离子活性剂,然后腐蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示,多晶硅表面能形成比较均匀开口小的陷阱坑,其表面反射率也比较低,而且能有效消除长而深的腐蚀沟槽,这对多晶硅太阳电池的研究具有一定的意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯仕猛	上海交通大学物理系	39	143	7.0	9.0
2	单以洪	上海交通大学物理系	4	20	3.0	4.0
3	田嘉彤	上海交通大学物理系	4	31	4.0	4.0
4	徐华天	上海交通大学物理系	4	31	4.0	4.0
5	周玲		4	12	2.0	3.0
6	杨树泉		7	40	4.0	6.0