从反应活化能垒角度探讨多晶硅还原机理

• 作者: 王友承
• 来源期刊: 化学工程师
• 学科: 工学
• 关键词: 三氯氢硅 分子模拟 密度泛函理论 过渡态
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 继续教育
• 页码范围: 24-25,33
• 分类号: TN304.1
• 字数: 761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1124.2012.05.007

摘要

三氯氢硅还原反应是改良西门子法生产多晶硅的主要过程,本文对三氯氢硅还原反应进行分子模拟,采用密度泛函理论方法(DFT)研究了三氯氢硅还原成多晶硅的能量变化,对其分子结构进行优化,通过LST/QST方法计算多晶硅还原过程中可能出现的过渡态及能量的变化,得到过渡态TSa、TSb、TSc.结果表明,三氯氢硅还原反应通道Path a所得过渡态的活化能垒较低,过程进行较顺利.