Zn-Sn-O系统透明导电薄膜的制备及其性能

• 作者: 孙芳芳 季伶俐 贺蕴秋
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Zn2SnO4 ZnSnO3 溶胶-凝胶法 导电性 透明性
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 63-70,101
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文

摘要

本文采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）过程和旋涂技术,通过高温烧结,得到了Zn-Sn-O系统的薄膜。结合干凝胶的差示扫描热分析（TG-DSC）和薄膜的X射线衍射分析（XRD）,研究了干凝胶在烧结过程中发生的反应。通过控制溶胶的组成和薄膜烧结温度,得到了较纯净的Zn2SnO4晶相薄膜和ZnSnO3晶相薄膜。ZnSnO3晶体薄膜的电阻率显著低于Zn2SnO4晶体薄膜;N2气氛热处理后,ZnSnO3薄膜的电阻率升高而Zn2SnO4薄膜的电阻率大幅降低;当[Zn]/[Zn＋Sn]=50.3at%时,薄膜的晶相仍为ZnSnO3,其电阻率较[Zn]/[Zn＋Sn]=50.0at%的薄膜降低,约为8.0×102Ω.cm-1。通过上述两种晶相薄膜的X射线光电子能谱分析（XPS）,探讨了这两种晶体不同的导电机理：Zn2SnO4晶体通过其中的氧空位导电,而ZnSnO3晶体则以间隙阳离子导电。紫外-可见光透过率（UV-Vis）分析表明：Zn2SnO4和ZnSnO3晶体薄膜在400~900nm的可见光波段的透过率可达80%以上。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季伶俐	同济大学材料科学与工程学院	5	29	4.0	5.0
2	孙芳芳	同济大学材料科学与工程学院	3	23	3.0	3.0