相移掩模清洗结晶控制

• 作者: 周家万 尤春 张海平 陈卓
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 相移掩模 结晶 工艺方法
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 清洗技术与设备
• 页码范围: 41-42,47
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.97
• 字数: 1312字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2012.05.011

摘要

在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端（线宽0.18μm以下）集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模（Phase Shift Mask）制作过程中,掩模表面结晶（Haze）问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺（Recipe）对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺（Recipe）,可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尤春		7	14	2.0	3.0
2	陈卓		4	3	1.0	1.0
3	周家万		3	2	1.0	1.0
4	张海平		2	2	1.0	1.0