宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究

• 作者: 刘卫华 张松昌 贺永宁 马可
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米线 CVD生长法 宽温区生长 光电导型紫外线探测器
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 863-867,876
• 页数: 6页
• 分类号: TB321
• 字数: 2999字
• 语种: 中文

摘要

以Zn粉为材料,采用CVD法在宽温区内可控生长ZnO纳米线.利用SEM对产物进行了微观分析,考察了反应温度与升温时间对ZnO纳米线形貌的影响.用ZnO纳米线制成光电导型紫外光探测器,并测试了该器件的性能,考察了所得ZnO纳米线的光电特性.研究工作表明:用CVD法制备ZnO纳米线时的反应温度不限于某一个特定值,而是常压下在419.5℃以上的温区内均可进行,该宽温区ZnO纳米线CVD合成法的关键在于优化和匹配生长温度与加热时间两个参数.对紫外光探测器的性能测试结果表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光电响应特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫华	西安交通大学电信学院微电子学系	33	304	9.0	16.0
2	贺永宁	西安交通大学电信学院微电子学系	58	265	9.0	12.0
3	马可	西安交通大学电信学院微电子学系	2	6	2.0	2.0
4	张松昌	西安交通大学电信学院微电子学系	5	6	1.0	2.0