Si基外延Ca2Si电子结构的计算

• 作者: 赵凤娟 高廷红
• 来源期刊: 电子世界
• 学科: 工学
• 关键词: Ca2Si 外廷 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 34-36
• 分类号: TN304
• 字数: 1987字
• 语种: 中文

摘要

采用基于第一性原理的(蜃)势平面波方法,对异质外延关系为Ca2Si(001)//Si(100),取向关系为Ca2Si[100]//Si[110]立方相的Ca2Si平衡体系下能带结构、态密度等进行了理论计算.计算结果表明:当原胞的晶格常数a取值为0.490mm时,立方相Ca2Si处于稳定状态并且是具有带隙值为0.6402eV的直接带隙半导体；其价带主要是由Si的3s、3p态电子和Ca的3s、3p态电子构成,导带主要是由Ca的3d态电子构成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵凤娟	贵阳龙洞堡机场民航贵州空管分局技术保障部	1	0	0.0	0.0
2	高廷红	贵阳龙洞堡机场民航贵州空管分局技术保障部	1	0	0.0	0.0