不同射频溅射功率下直接制备Ca2Si薄膜

• 作者: 曾正 杨吟野 王义 罗胜耘 谢泉
• 来源期刊: 测试技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ca2Si 射频溅射 形核 退火 半导体硅化物
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 测试技术与理论研究
• 页码范围: 402-406
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7449.2009.05.006

摘要

磁控溅射系统在恒定Ar气压和Ar气流流量下,使用不同射频溅射功率在Si(100)衬底上分别沉积Ca薄膜;随后,800℃真空退火1 h.立方相的Ca2Si薄膜首次、单独、直接生长在Si(100)衬底上.实验结果指出,在多相共生的Ca-Si化合物中,沉积Ca薄膜时的射频溅射功率影响了立方相Ca2Si薄膜的质量;最优化的溅射功率是85 W.另外,退火温度为800℃时,有利于单一相Ca2Si的独立生长.并且,退火时间也是关键因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学电子科学与信息技术学院	133	486	12.0	17.0
2	王义	贵州大学电子科学与信息技术学院	13	53	6.0	7.0
3	杨吟野	贵州民族学院物理系	26	116	6.0	10.0
4	曾正	贵州民族学院物理系	6	48	2.0	6.0
5	罗胜耘	贵州民族学院物理系	14	43	4.0	6.0