用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜

• 作者: 丁毅 刘钧锴 田凌 贺德衍 邓金祥 陈光华 陈浩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方氮化硼 射频溅射 压应力 基底负偏压
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 5441-5443
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.076

摘要

利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘钧锴	北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室	7	25	3.0	4.0
2	贺德衍	兰州大学物理科学与技术学院	68	559	13.0	19.0
3	陈浩	北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室	21	79	6.0	8.0
4	陈光华	北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室	65	396	11.0	16.0
5	田凌	兰州大学物理科学与技术学院	4	7	1.0	2.0
6	丁毅	兰州大学物理科学与技术学院	4	29	3.0	4.0
7	邓金祥	北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室	45	150	7.0	9.0