硅纳米线光致发光的原理及研究进展

• 作者: 杨丽娇 杨成涛 梅丽润 王金良
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线 光致发光 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 本期专题:新型硅材料
• 页码范围: 135-141
• 页数: 7页
• 分类号: TB383
• 字数: 6946字
• 语种: 中文

摘要

系统地介绍了导致硅纳米线(SiNWs)光致发光(PL)的主要原理,如量子限制效应、量子尺寸效应、硅纳米颗粒发光机理和杂质缺陷发光机理.同时从SiNWs的直径、测试温度、SiNWs外部包覆层、SiNWs的形态等几个方面出发,详细地归纳总结了近十多年来国内外对SiNWs的PL原理的研究成果及进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王金良	北京航空航天大学物理学院	24	125	7.0	10.0
2	杨丽娇	北京航空航天大学物理学院	2	11	2.0	2.0
3	杨成涛	北京航空航天大学物理学院	3	18	3.0	3.0
4	梅丽润	北京航空航天大学物理学院	3	18	3.0	3.0