电子束辐照对GaN基蓝光LED特性参数影响

• 作者: 刘海浪 张瑞宾 黄以平
• 来源期刊: 制造业自动化
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束辐照 LED GaN 特性参数
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 设计与应用
• 页码范围: 102-104
• 分类号: TL55
• 字数: 1001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0134.2012.3(s).32

摘要

本文利用能量为1-3MeV、最大功率为90KW的工业用地那米型电子加速器产生的低能电子束对GaN基蓝光LED进行了电子束辐照实验,对比了辐照前后的LED颜色参数,光度参数的变化,同时对实验结果进行分析和讨论.结果表明,在电子束辐照下,LED的主波长发生了漂移,色纯度提高,光通量、光效都有所降低,并且发现电子束辐照会引起LED芯片量子阱中的原子位移,非复合型复合,降低少子寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄以平	桂林电子科技大学机电工程学院	26	71	5.0	6.0
2	刘海浪	桂林电子科技大学机电工程学院	28	38	4.0	4.0
3	张瑞宾	桂林电子科技大学机电工程学院	4	8	2.0	2.0