富硅氮化硅／c—Si异质结中的电流输运机理研究

• 作者: 丁文革 于威 傅广生 杨彦斌 桑云刚 滕晓云
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 对靶磁控溅射 富硅氮化硅 异质结 传输机理
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 476-481
• 分类号: TN383.1
• 语种: 中文

摘要

采用对靶磁控溅射方法在P型晶体硅（c—Si）衬底上沉积n型富硅氮化硅（SiNx）薄膜，形成了富硅SiNx／c—Si异质结．异质结器件呈现出较高的整流比，在室温下当V=4-2V时为1．3×10^3．在正向偏压下温度依赖的J—V特性曲线可以分为三个明显不同的区域．在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理，在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的，在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流（SCLC）传输机理为主．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于威	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	91	346	9.0	13.0
2	滕晓云	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	21	214	5.0	14.0
3	丁文革	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	28	80	5.0	8.0
4	杨彦斌	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	10	34	3.0	5.0
5	桑云刚	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	2	3	1.0	1.0