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摘要:
运用真空射频磁控溅射[1]反应系统(JGPS00D1)进行薄膜沉积,在经过镜面抛光过的Si单晶片衬底上[2],利用掺杂质量2%Al的ZnC∶Al陶瓷靶(纯度为99.99%),采用施主-受主共掺杂的方法,在N2于Ar体积比1∶1的混和气体的气氛下,制备了Al-N共掺杂的ZnO薄膜.探讨了掺杂对薄膜晶体结构、表面形貌及电学性能影响.
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关键词云
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文献信息
篇名 Al-N共掺杂制备ZnO薄膜及其性能研究
来源期刊 科技视界 学科
关键词 AL-N共掺杂 ZnO薄膜 磁控溅射
年,卷(期) 2012,(32) 所属期刊栏目 项目与课题
研究方向 页码范围 23,46
页数 2页 分类号
字数 1522字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李敏君 28 58 5.0 6.0
2 张伟 26 30 2.0 3.0
3 赵祥敏 19 28 3.0 4.0
4 赵文海 6 4 2.0 2.0
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研究主题发展历程
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AL-N共掺杂
ZnO薄膜
磁控溅射
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