标准CMOS工艺新型多晶硅PIN-LED的设计与实现

• 作者: 侯贺刚 张世林 张兴杰 毛陆虹 谢生 郭维廉 韩磊
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅PIN-LED 标准CMOS工艺 发光
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN383.1
• 语种: 中文

摘要

采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10 μm器件的正向导通电压为1.5V,反向击穿电压为8.8V;当其工作在正向载流子注入模式时发射950～1 250 nm波段的红外光,工作在反向雪崩击穿模式时发射650～1000 nm波段的可见光.实验结果表明,本文以多晶硅材料制备的PIN-LED与单晶硅材料制备的Si-LED具有类似的电学特性与光学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹		165	736	12.0	20.0
2	张世林		109	334	8.0	11.0
3	郭维廉		145	419	10.0	12.0
4	谢生		68	232	7.0	11.0
5	韩磊		10	97	6.0	9.0
6	侯贺刚		2	0	0.0	0.0
7	张兴杰		2	6	1.0	2.0