热处理时间对氧化钒薄膜相变性能的影响

• 作者: 乔亚 张鹏 路远
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流磁控溅射 氧化钒薄膜 热氧化 低相变温度
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 804-806,810
• 分类号: O436
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃上制备了低价的氧化钒薄膜,在氧气和氩气混合气氛中,对所制备的薄膜进行不同时间的热处理,得到具有相变特性的VO2薄膜.分别利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)分析了薄膜的组分、结晶结构和表面形貌,利用四探针法测试了薄膜的电阻.结果表明:热处理前的氧化钒薄膜主要成分为V2 O3,经过热氧化处理后,低价的氧化钒被氧化,薄膜中VO2含量增加,薄膜发生金属-半导体相变,其中450℃、2h为最佳处理参数,其电阻相变幅度超过2个数量级,薄膜的相变温度仅为30℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	路远	电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室安徽省红外与低温等离子体重点实验室	34	257	10.0	15.0
2	乔亚	电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室安徽省红外与低温等离子体重点实验室	16	63	5.0	7.0
3	张鹏	电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室安徽省红外与低温等离子体重点实验室	2	11	1.0	2.0