退火条件对氧化钒薄膜电学性能的影响

• 作者: 严刚 王利霞 王海云
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化钒 快速升降温退火 电阻温度系数 微测辐射热计
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 信息材料与光电器件
• 页码范围: 117-120
• 分类号: O47
• 字数: 2501字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5439.2011.06.022

摘要

文中采用射频反应溅射法制备氧化钒薄膜,并用三段式控温退火炉对薄膜进行快速升降温退火处理.文中重点就退火条件对氧化钒薄膜的电学性能的影响进行了研究.研究结果表明:退火时间和退火温度均对薄膜电学性能有较大影响,考虑到氧化钒薄膜热敏性能要求,兼顾微测辐射热计制备工艺(即微电子机械系统(简称MEMS)工艺)要求,退火时间约1～2小时,退火温度应控制在400℃～500℃之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海云	南京邮电大学理学院	15	35	4.0	4.0
2	王利霞	南京邮电大学理学院	8	20	3.0	4.0
3	严刚	南京邮电大学理学院	7	36	3.0	6.0