多倍频程GaN分布式功率放大器的设计与实现

• 作者: 吴尚昀 沈川 肖仕伟 谢晓峰
• 来源期刊: 微波学报
• 关键词: GaN 分布式放大器 宽带 功率放大器
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 74-77
• 语种: 中文

摘要

分布式放大器结构是一种能够实现极宽带宽的放大电路结构.不过由于晶体管自身功率密度的限制,分布式放大器大多用于小信号放大器的设计中.第3代宽禁带半导体GaN具有击穿场强高、输出功率密度大的优点,随着GaN晶体管的发展成熟,将其应用于分布式放大器结构中能够实现宽带功率放大器.本文采用4个GaNHEMT(高电子迁移率晶体管)分立器件进行分布式功率放大器设计,并以混合集成电路工艺加工,实现了0.3 ～2.5GHz的多倍频程宽带功率放大器.最终得到的测量结果显示,功率放大器在0.3 ～ 2.5GHz的频带内,饱和输出功率大于39dBm,线性增益大于8dB,最大PAE大于15％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖仕伟	中国工程物理研究院高新技术装备发展中心	15	111	6.0	10.0
2	谢晓峰	中国工程物理研究院电子工程研究所	4	28	3.0	4.0
6	沈川	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	25	3.0	3.0
7	吴尚昀	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	46	3.0	3.0