亚微米CMOS低温特性与物理建模

• 作者: 刘强 徐星 袁红辉 陈世军 陈永平
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 亚微米 CMOS 低温特性 物理建模
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 268-272
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

为了设计低温下的红外探测器CMOS读出电路,实现高性能的红外成像探测技术,需对低温下的CMOS特性曲线进行研究,建立实用的物理仿真模型.本文介绍了CMOS低温建模需要设计的系列化管子,对管子的各种参数进行了测量,并对结果进行了具体分析,研究了CMOS低温77K下的特性曲线,建立了77K下的物理仿真实用模型,利用该模型设计红外探测器CMOS低温电路,通过测试,其仿真结果与低温77K的测试结果拟合度超过90％,验证了低温建模方法的可行性,该方法对特种专用集成电路的设计具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永平	中国科学院上海技术物理研究所	25	98	6.0	8.0
2	刘强	中国科学院上海技术物理研究所	235	4502	28.0	60.0
3	徐星	中国科学院上海技术物理研究所	48	241	9.0	14.0
4	袁红辉	中国科学院上海技术物理研究所	20	117	7.0	9.0
5	陈世军	中国科学院上海技术物理研究所	20	98	5.0	8.0