SDRAM辐射效应测试系统研制及实验研究

• 作者: 何宝平 姚志斌 张凤祁 罗尹虹 郭红霞 陈伟
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 物理学
• 关键词: SDRAM 辐射效应 测试系统 刷新周期 总剂量效应 单粒子效应
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 辐射效应与加固技术
• 页码范围: 144-151
• 页数: 8页
• 分类号: V19|O474
• 字数: 6204字
• 语种: 中文

摘要

在分析SDRAM器件辐射失效现象的基础上,研制了具备读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究.结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器件的数据保持时间不断减小,功耗电流不断增大以及读写功能失效.实验样品MT48LC8M32B2的功能失效主要由外围控制电路造成,而非存储单元翻转.数据保持时间虽然随着辐照剂量的累积不断减小,但不是造成该器件功能失效的直接原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	陈伟		95	286	8.0	11.0
4	张凤祁		40	169	8.0	10.0
5	郭红霞		81	385	10.0	13.0
6	姚志斌		35	171	8.0	10.0