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摘要:
Spin-wave structures whose current-voltage characteristics are controlled at room temperatures by magnetic field were produced with industrial technological methods using a spintronic europium-monoxide-based thin-film composite as an emitter and monocrystalline semiconductor n-GaAs as a collector. This shows that spin current transport actually exists and that a high-temperature spin transistor was produced with the use of the magnetic semiconductor/nonmagnetic semiconductor contact.
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文献信息
篇名 Spin Transfer in EuO:Fe/GaAs Contact
来源期刊 现代物理(英文) 学科 物理学
关键词 SPINTRONICS Magnetic Semi-Conduction SPIN TRANSFER
年,卷(期) 2013,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 306-310
页数 5页 分类号 O469
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研究主题发展历程
节点文献
SPINTRONICS
Magnetic
Semi-Conduction
SPIN
TRANSFER
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代物理(英文)
月刊
2153-1196
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
出版文献量(篇)
1826
总下载数(次)
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