单晶硅各向异性湿法刻蚀的研究进展

• 作者: 佐藤一雄 唐彬 彭勃 袁明权 陈颖慧
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统(MEMS) 单晶硅 湿法刻蚀 各向异性 表面活性剂
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 327-333
• 分类号: TH703|TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.05.011

摘要

单晶硅各向异性湿法刻蚀是制作硅基微电子机械系统(MEMS)器件的重要步骤之一,由于具有刻蚀均匀性好、批量大、成本低的优点而深受关注.首先回顾了单晶硅各向异性湿法刻蚀的刻蚀机理,比较了三种常用各向异性刻蚀液的刻蚀性质,讨论了刻蚀形状的控制技术.然后着重介绍了表面活性剂修饰的单晶硅各向异性湿法刻蚀速率和刻蚀表面光滑度等特性,以及面向MEMS应用的基于该刻蚀技术的各种微纳新结构;分析了表面活性剂分子在刻蚀过程中的作用,强调了表面活性剂分子在单晶硅表面的吸附性对改变刻蚀表面的物理性质的重要性.最后在此基础上,归纳了单晶硅各向异性湿法刻蚀的发展情况,探讨了其未来的发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐彬	中国工程物理研究院电子工程研究所	59	173	8.0	10.0
2	彭勃	中国工程物理研究院电子工程研究所	19	115	6.0	10.0
3	袁明权	中国工程物理研究院电子工程研究所	17	63	4.0	7.0
4	陈颖慧	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	82	6.0	8.0
5	佐藤一雄	名古屋大学微纳系统工程学院	1	15	1.0	1.0