电子照射对硅漂移探测器性能的影响

• 作者: 冷双 张斌全 王世金 韦飞
• 来源期刊: 北京航空航天大学学报
• 学科: 航空航天
• 关键词: 太阳X射线 硅漂移探测器 电子 照射
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 235-238
• 页数: 4页
• 分类号: V476.4
• 字数: 2988字
• 语种: 中文

摘要

由于高能电子辐射的长期照射,新一代太阳X射线探测器硅漂移传感器的探测性能可能发生变化.通过用电子放射源模拟空间电子对硅漂移探测器进行辐射照射试验,以测试电子照射对传感器能量分辨率、效率、信号幅度等性能的影响.试验结果表明,长期的电子照射造成硅漂移探测器面损伤和体损伤,使其漏电流增大,信号幅度减小,能量分辨率也受到照射的影响,而探测效率未发生变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王世金	中国科学院空间科学与应用研究中心	82	596	13.0	19.0
2	张斌全	中国科学院空间科学与应用研究中心	8	17	3.0	4.0
3	韦飞	中国科学院空间科学与应用研究中心	17	79	5.0	8.0
4	冷双	中国科学院空间科学与应用研究中心	5	16	3.0	3.0