硅片在背面减薄工序中降低破片率的研究

• 作者: 池慧雄
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 背面减薄 破片率
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 32-34,42
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2139字
• 语种: 中文

摘要

随着半导体工业的发展，对芯片的厚度要求愈来愈薄。在半导体制造中通过对硅片进行背面减薄达到芯片变薄的目的。然而由于硅片的厚度变薄，在后续的制造过程中也增加了硅片破裂的概率。对于已经几乎加工完毕的芯片，破片造成的成本显然是相当高昂的。文章对硅片在背面减薄工序和流通环节中可能产生破片的因素进行了研究探索，通过对设备的部分装置进行改造，改进流通环节中的一些方法，经过总结数据，验证了硅片在背面减薄工序中降低破片率的可行性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	池慧雄		1	2	1.0	1.0