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一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法
一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法
作者:
李扬
梁华国
陶志勇
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
负偏置温度不稳定性
门替换
电路老化
摘要:
45 nm工艺下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应是限制电路的性能的首要因素.为了缓解NBTI效应引起的电路老化,提出了1个基于门替换方法的设计流程框架和门替换算法.首先利用已有的电路老化分析框架来预测集成电路在其服务生命期内的最大老化,然后以门的权值作为指标来识别关键门,最后采用门替换算法对电路中的部分门进行替换.基于ISCAS85基准电路和45 nm晶体管工艺的试验结果表明,相对于已有的方法,采用文中的门替换方法,使得NBTI效应引起的电路老化程度平均被缓解了9.11%,有效地解决了控制输入向量(input vector control,IVC)方法不适用于大电路问题.
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文献信息
篇名
一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法
来源期刊
电子测量与仪器学报
学科
工学
关键词
负偏置温度不稳定性
门替换
电路老化
年,卷(期)
2013,(11)
所属期刊栏目
学术论文
研究方向
页码范围
1011-1017
页数
7页
分类号
TP379.1|TN3
字数
5306字
语种
中文
DOI
10.3724/SP.J.1187.2013.01011
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
梁华国
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
192
1611
19.0
30.0
2
李扬
合肥工业大学计算机与信息学院
14
108
7.0
10.0
6
陶志勇
合肥工业大学计算机与信息学院
2
34
2.0
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传播情况
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引证文献(1)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
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门替换
电路老化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子测量与仪器学报
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7105
CN:
11-2488/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市东城区北河沿大街79号
邮发代号:
80-403
创刊时间:
1987
语种:
chi
出版文献量(篇)
4663
总下载数(次)
23
总被引数(次)
44770
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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