一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法

• 作者: 李扬 梁华国 陶志勇
• 来源期刊: 电子测量与仪器学报
• 学科: 工学
• 关键词: 负偏置温度不稳定性 门替换 电路老化
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1011-1017
• 页数: 7页
• 分类号: TP379.1|TN3
• 字数: 5306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1187.2013.01011

摘要

45 nm工艺下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应是限制电路的性能的首要因素.为了缓解NBTI效应引起的电路老化,提出了1个基于门替换方法的设计流程框架和门替换算法.首先利用已有的电路老化分析框架来预测集成电路在其服务生命期内的最大老化,然后以门的权值作为指标来识别关键门,最后采用门替换算法对电路中的部分门进行替换.基于ISCAS85基准电路和45 nm晶体管工艺的试验结果表明,相对于已有的方法,采用文中的门替换方法,使得NBTI效应引起的电路老化程度平均被缓解了9.11％,有效地解决了控制输入向量(input vector control,IVC)方法不适用于大电路问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁华国	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	192	1611	19.0	30.0
2	李扬	合肥工业大学计算机与信息学院	14	108	7.0	10.0
6	陶志勇	合肥工业大学计算机与信息学院	2	34	2.0	2.0