单晶硅表面电化学方法制备定向硅纳米线阵列的研究

• 作者: 张大蔚 李夕金
• 来源期刊: 河南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 硅纳米线 电化学 催化剂
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 现代物理与材料科学
• 页码范围: 375-379
• 页数: 5页
• 分类号: TB383.1
• 字数: 3565字
• 语种: 中文

摘要

采用电化学方法在近室温条件下快速制备硅纳米线阵列.实验选用HF-AgNO3混合溶液,在单晶硅表面沉积生长一层薄的金属银的催化剂薄膜.然后在HF-Fe(NO3)3混合溶液中,利用银为催化剂,在硅片表面发生氧化还原反应,通过选择性腐蚀,制备出大面积硅纳米线阵列;利用扫描电镜分析了制备温度、时间及AgNO3的浓度对催化剂形状、大小的影响,并进一步分析了其对纳米线的定向特征、长度及填充率的影响.在本实验条件下,银催化剂的颗粒直径影响纳米线的生长,过大或过小的催化剂都不利于纳米线的制备.同时,纳米线的长度随着刻蚀生长时间的延长而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张大蔚	河南大学物理与电子学院	6	2	1.0	1.0
2	李夕金	河南大学物理与电子学院	5	11	1.0	3.0