ⅣA元素掺杂的ZnO的电学和光学性质

• 作者: 姚银华 曹全喜
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 电导率 光学性质 透明导电氧化物
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 93-97
• 分类号: TM20|TM28
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.01.19

摘要

基于密度泛函理论的总体能量平面波模守恒赝势方法,对掺杂Si、Ge、Sn的ZnO的电导率和光学性质进行了理论研究.结果表明,掺杂后晶格常数随着杂质原子序数的增大而增大.ⅣA族元素对Zn的替代可以提高ZnO的载流子浓度和电导率.ZnO:Si的载流子浓度最大,ZnO:Sn的电导率最大.ⅣA族元素对Zn的替代使得ZnO的吸收和反射都降低.此外,掺Sn的ZnO由于在可见光区吸收小和反射小,更适合用于制备高质量的透明导电氧化物.理论计算的结果与实验结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹全喜	西安电子科技大学技术物理学院	92	638	13.0	21.0
2	姚银华	西安电子科技大学技术物理学院	3	6	2.0	2.0