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摘要:
石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广泛关注.以数字电路应用为指向,基于密度泛函理论的计算仿真,对GNRFET的结构设计优化进行了研究.分析了宽度N=3m和N=3m+1(m为正整数)两系列半导体型石墨烯纳米带的传输特性,结果表明N=3m系的扶手椅型石墨烯纳米带(armchair GNR,AGNR)更适合作为晶体管的沟道.研究了掺杂对GNRFET性能的影响,得到明显n型特性,并确定了掺杂位置;探讨了沟道长度对器件的影响,得到了较大的开关电流比(约1 700)和较小的亚阈值摆幅(30~40 mV/decade).这些优化手段有效提高了GNRFET的性能,可指导其设计和制备.
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文献信息
篇名 石墨烯纳米带场效应管结构优化
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 石墨烯纳米带场效应管(GNRFET) 结构优化 掺杂 开关电流比 亚阈值摆幅
年,卷(期) 2013,(8) 所属期刊栏目 器件与技术
研究方向 页码范围 474-478,522
页数 分类号 O472.4|TN386.2
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.08.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵磊 武汉大学物理科学与技术学院 43 512 13.0 22.0
2 王豪 武汉大学微电子与信息技术研究院 69 158 6.0 8.0
3 常胜 武汉大学物理科学与技术学院 92 343 9.0 13.0
4 黄启俊 武汉大学物理科学与技术学院 128 515 11.0 15.0
5 赵柏衡 武汉大学物理科学与技术学院 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)
结构优化
掺杂
开关电流比
亚阈值摆幅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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微纳电子技术
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