石墨烯纳米带场效应管结构优化

• 作者: 常胜 王豪 赵柏衡 赵磊 黄启俊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯纳米带场效应管(GNRFET) 结构优化 掺杂 开关电流比 亚阈值摆幅
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 474-478,522
• 分类号: O472.4|TN386.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.08.001

摘要

石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广泛关注.以数字电路应用为指向,基于密度泛函理论的计算仿真,对GNRFET的结构设计优化进行了研究.分析了宽度N=3m和N=3m+1(m为正整数)两系列半导体型石墨烯纳米带的传输特性,结果表明N=3m系的扶手椅型石墨烯纳米带(armchair GNR,AGNR)更适合作为晶体管的沟道.研究了掺杂对GNRFET性能的影响,得到明显n型特性,并确定了掺杂位置；探讨了沟道长度对器件的影响,得到了较大的开关电流比(约1 700)和较小的亚阈值摆幅(30～40 mV/decade).这些优化手段有效提高了GNRFET的性能,可指导其设计和制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵磊	武汉大学物理科学与技术学院	43	512	13.0	22.0
2	王豪	武汉大学微电子与信息技术研究院	69	158	6.0	8.0
3	常胜	武汉大学物理科学与技术学院	92	343	9.0	13.0
4	黄启俊	武汉大学物理科学与技术学院	128	515	11.0	15.0
5	赵柏衡	武汉大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0