IGBT RBSOA失效分析及改善方案

• 作者: 孙军 蔡南雄 高东岳
• 来源期刊: 中国集成电路
• 关键词: RBSOA测试 闩锁电流密度 元胞结构的一致性
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 器件工艺
• 页码范围: 77-80
• 页数: 4页
• 字数: 1255字
• 语种: 中文

摘要

一种绝缘栅双极晶体管模块在做反向偏置安全工作区测试时,器件在较低的关断电流下就发生了损坏.失效分析显示失效区的位置靠近栅极条区.模拟显示失效区处元胞结构并非对称,而正常元胞结构是对称的,由此造成了该处元胞的闩锁电流密度比对称结构元胞的闩锁电流密度低.因此,元胞结构的一致性不好是RBSOA关断电流低的原因.通过修改版图设计,使工作区元胞结构一致.对改版后的芯片封装后进行RBSOA测试,结果显示安全关断电流有明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高东岳		2	2	1.0	1.0
2	孙军		1	2	1.0	1.0
3	蔡南雄		1	2	1.0	1.0