IGBT模块失效机理及状态监测研究综述

• 作者: 丁祥宽 唐圣学 姚芳 李志刚 王希平
• 来源期刊: 中国电力
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT模块 可靠性 失效机理 状态监测 键合电阻 瞬态热阻抗
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件可靠性专栏
• 页码范围: 61-72
• 页数: 12页
• 分类号: TN322
• 字数: 5451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11930/j.issn.1004-9649.201907034

摘要

随着电力电子系统性能要求的不断提高,绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块不仅要拥有高功率密度,还要具有良好的热-机械性能,以提高其可靠性.首先介绍了IGBT模块的主要失效模式,对封装中键合线和焊料层失效机理进行了详细阐述,重点介绍了IGBT模块健康状态监测,分别对结温、键合线与焊料层健康状态监测及其量化评估研究进展进行了详细分析.最后,对降低热-机械应力以提高整机可靠性设计和运行工况下在线监测研究的发展前景进行了展望.