TFT-LCD网点Mura的研究和改善

• 作者: 姚立红 宋泳珍 张光明 张定涛 李伟 李文彬 袁明 郑云友
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 色斑 薄膜晶体管 非晶硅 缺陷分析
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 860-867
• 页数: 8页
• 分类号: TN312.18
• 字数: 5133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20132806.0860

摘要

为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1％HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验.研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响.确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大.最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚立红	北京林业大学工学院	22	113	5.0	10.0
2	李文彬	北京林业大学工学院	116	1196	16.0	29.0
3	张定涛	北京林业大学工学院	3	9	2.0	3.0
5	李伟		9	14	3.0	3.0
6	郑云友		6	25	4.0	4.0
7	宋泳珍		2	7	2.0	2.0
10	袁明		2	8	2.0	2.0