TFT-LCD四角发黑Mura的研究与改善

• 作者: 刘增利 刘幸一 安晖 彭俊林 操彬彬 李恒滨 杨增乾 栗芳芳 汪弋 陆相晚 陈鹏
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: Mura 信赖性 氮化硅 阻水 电容 灰阶
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 122-127
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20203502.0122

摘要

研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura.由于该Mura在TFT膜面可见,本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化,确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学不良,其机理为水汽不断进入第二绝缘层(PVX2),Cst持续增大,进而造成了TFT-LCD像素充电电压和灰阶的降低.通过降低沉积压强和提高Si/N比,PVX2膜层致密性和阻水性加强,模拟信赖性测试中电容的变化由19.6％降至0.5％,成功解决了该不良,避免了信赖性风险,提升了产品品质.