SiC功率半导体元件的沟道MOSFET即将实用化

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: SIC 半导体元件 电装 导通电阻 基板 相关技术 外延层 漏极 平面型 低电容
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（6）
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN386

摘要

【正】高品质的150 mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板,在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET。在2013年10月举办的"CEATECJAPAN2013"上,电装展示了SiC的相关技术。其中包括了两大"惊喜"。一是电装宣布SiC功率元件将在2015年实用