InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究

• 作者: 丁召 刘珂 周勋 周清 王继红 罗子江 郭祥
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 扫描隧道是微镜 InAs(001) 重构 不可逆相变
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 其它
• 页码范围: 1266-1269
• 分类号: TN3|O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.12.18

摘要

对吸附了大量As的InAs(001)样品进行升降温热处理,发现在485℃时表面有从(3×1)重构到(2×4)重构的不可逆转变现象.利用扫描隧道显微镜对(3×1)重构表面分析,结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs(001)(2×4)重构表面最顶层的As dimer也一起脱离表面,(3×1)重构表面实际上是由20％的富As(2×4)重构区域与80％的富In(4×2)重构区域组成.不可逆相变是由于As束流提供的As4原子团吸附到富In区域,使样品表面恢复到(2×4)重构相,而(2×4)重构相能在390～490℃温度范围内稳定存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州财经大学教育管理学院	46	63	4.0	6.0
2	王继红	贵州大学电信学院	24	46	3.0	5.0
3	郭祥	贵州大学电信学院	25	32	3.0	4.0
4	丁召	贵州大学电信学院	67	161	6.0	8.0
5	周勋	贵州师范大学物理与电子科学学院	65	213	6.0	12.0
6	周清	贵州大学电信学院	6	13	2.0	3.0
7	刘珂	贵州大学电信学院	8	17	3.0	4.0