SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究

• 作者: 周俊敏 文黎巍 杨仕娥 苗挂帅 贾瑜
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 吸附能 结构参数 反应机制
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 516-519
• 分类号: O411
• 字数: 1992字
• 语种: 中文

摘要

用第一性原理密度泛函理论研究SiH4在Si(001)-(2×1)表面的分裂吸附及吸附后的结构、能量和成键特性,计算了反应物、过渡态及生成物三个状态的能量,吸附能和反应能.计算结果表明:SiH4在Si(001)-(2×1)重构表面吸附的可能反应路径是由于SiH4中Si-H键的拉长和二聚体键的断裂导致的,形成产物Si(001)-(2×1)(SiH3:H);由SiH4分裂的能量势垒0.78 eV说明所推测的反应路径是合理的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾瑜	郑州大学物理工程学院	54	123	6.0	7.0
2	杨仕娥	郑州大学物理工程学院	68	513	12.0	18.0
3	周俊敏	周口师范学院物理与电子工程系	13	23	3.0	4.0
4	文黎巍	周口师范学院物理与电子工程系	6	14	2.0	3.0
5	苗挂帅	周口师范学院物理与电子工程系	1	4	1.0	1.0