GaAs纳米薄膜的分步电沉积制备及表征

• 作者: 刘晶 李龙 梁建 章海霞 许并社 马淑芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs薄膜 电沉积 退火
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 601-606,610
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3320字
• 语种: 中文

摘要

采用分步电化学沉积法,在FTO玻璃基底上成功制备出GaAs薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外可见光光度计(UV-Vis)、荧光光度计(PL)对不同退火工艺下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行表征.结果表明:GaAs薄膜为面心立方晶系,沿(111)方向择优生长.随着退火温度的升高,薄膜内颗粒逐渐增大,Ga与As原子量比发生变化,Eg值减小,光致发光峰为红外发射峰.同时对其形成机理进行了探讨.